國(guó)家(jiā)存儲器(qì)基地(d€↑ì)在武漢光(guāng)谷正式開(kāi)工(gōng)建設
發布時(shí)間(jiān)：2016-04-01 來(lái)源：網易科(kē)技₽φ÷↔(jì)
國(guó)家(jiā)存儲器(qì)基地(dì)28日(rì)在武漢光(g♠₹®×uāng)谷正式開(kāi)工(gōng)建設。據悉，基地(dì)建設包πδ&括芯片制(zhì)造、産業(yè)鏈配套等，将在5年(nián)內(nèi) α投資240億美(měi)元（約1600億人(rén)民(m↓↔≤ín)币），預計(jì)到(dào)2020年(nián)形成月(yuè)産30萬片的(de)生λ♥¶(shēng)産規模。
存儲器(qì)是(shì)信息系統的(de)≤∏基礎核心芯片。2015年(nián)，發展存儲器(qì)上(shàng££→$)升為(wèi)國(guó)家(jiā)戰略§∞Ω。2006年(nián)，湖(hú)北(běi)省、武漢市(shì)投資1<¥00億元在武漢光(guāng)谷建設了(le)武漢新芯12英寸晶圓制(z® hì)造項目。經過10年(nián)的(de)打造，成為(wèi)我國(guó)重要(y<<ào)的(de)集成電(diàn)路(lù)産業♣ (yè)聚集區(qū)之一(yī)。
集成電(diàn)路(lù)是(shì)我≠σ國(guó)最大(dà)宗的(de)單一(yī)進口産品，而存儲器(qì)則是(shì)最大'&≤γ(dà)宗集成電(diàn)路(lù)産品。華中科(kē)技(jì)大₽↑(dà)學超大(dà)規模集成電(diàn)路(lù§∞←>)與系統研究中心主任鄒雪(xuě)城(cε≤héng)教授介紹，2013年(nián)，我國(guó)進口的(de)集成電(dià ↑¥n)路(lù)産品的(de)1/3就(jiù)是(shì)存儲器(qì)，總金(jīn)額達Ω&®∑717億美(měi)元。
當前全球存儲器(qì)行(xíng)業↔•©(yè)正處于發展的(de)轉折期，傳統芯片制(zhì)造工(gōng)藝接近(j≠δìn)物(wù)理(lǐ)極限，新型存儲器(qì)技(jì)術(shù)距離ε "(lí)大(dà)規模産業(yè)化(huà)還(hái)有(yǒu)5&mda ₽&₩sh;10年(nián)時(shí)間(jiān)。武漢市(shì)委常委、東(dōng)湖(hú∞↓)高(gāo)新區(qū)管委會(huì)黨工(gōng)委書(s→>↕hū)記胡立山(shān)說(shuō)，通(tōng'σ)過立體(tǐ)堆疊Flash工(gōng)藝開(kāi)發來(lái)提高(gāo)芯片集成度©♠✔☆正成國(guó)際大(dà)公司的(de)主攻方向，武漢新芯的(de)提>&γβ前布局為(wèi)中國(guó)存儲器(qì)産業(yè)發展實現(xiàn)“φ<彎道(dào)超車(chē)”提供難↕∞&π得(de)曆史性機(jī)遇。
據介紹，這(zhè)一(y±®>πī)存儲器(qì)基地(dì)項目以芯片制(zhì)造環節為(wèi)±♠突破口，集存儲器(qì)産品設計(jì)、技(jì)術(∑δshù)研發、晶圓生(shēng)産與測試、銷售于一(yī)×α☆體(tǐ)，集合已經在光(guāng)谷♠∑≥λ地(dì)區(qū)形成規模的(de)顯×→≤示産業(yè)（天馬、華星光(guāng)電(diàn)）、智能(néng)終端産業(yλ è)（華為(wèi)、聯想、富士康），将打造萬億級的(de)芯片—顯示&mdash≠×;智能(néng)終端全産業(yè)鏈生(shēng)态體(tǐ)系，使武漢光≈±(guāng)谷成為(wèi)國(guó)內(nèi)乃φγ÷₽至全球最密集的(de)電(diàn)子(zǐ)信息産業(yè)基地®(dì)。
